上游供应链告急2017年手机将继续涨价

2019-05-15 06:53:18 来源: 吴忠信息港

如果说2016年的关键词是双摄像头的话,那么2017年的关键词恐怕就是涨价了。在2月4日,小米一纸涨价通知书让很多人措手不及。红米价格上调只是今年市场价格波动的前奏。早在2016年年底,人民币汇率波动以及上游供应链的供货紧张问题就被频频曝光,红米价格上调就变得可以理解,而且随着2017年的深入,上游供应链的缺货还将延续,涨价已成必然趋势。涨价归涨价,生活要继续,该买的还是得买,哪怕终端制造商一片哀鸿,用户需求还是要满足的,只是想要在2016年更新手上电子设备的用户就要多花点钱了。

小米的涨价通知

2016年涨幅的芯片产品莫过于存储芯片,无论是DRAM还是NAND Flash均出现了大幅度上涨,其中DRAM芯片上涨幅度接近1倍,而固态硬盘等NAND Flash产品也涨价超过35%。造成涨价的一个原因是人民币的汇率波动,另外一个原因就是各大半导体厂商在需求转进更先进的制程,造成产能下降,市场供应不足而涨价。在今日,美光和海力士均表露了其2017年的规划与路线图。

美光2017规划路线

在2月3日,美光CEO Mark Durcan宣布退休,美光在制程转进的关键节点更换CEO,是否意味着美光将走进全新的时期?其实存储器价格上涨让美光受益匪浅,净利润从亏损1.7亿美元到赚1.8亿美元,美光能否借此脱离资金泥潭,将技术赶上,对于存储器市场的影响重大。

NAND闪存进展

在2016年,3D NAND闪存开始出货,美光的步伐虽然有点慢,不过一样在2016年 实现了量产,美光量产的是代32层堆栈的产品,这一代产品也是美光2017年的出货主力。不过美观方面同时期望在2017年今年9月之前量产第二代64层的3D NAND显存;而第三代的3D NAND显存容量比第二代提升40%。

美光3D NAND研发进展

美光的3D NAND闪存量产虽然比三星晚,不过它们的拥有单颗容量容量的384Gb;同时也拥有单位面积密度的记录,每平方毫米拥有4.3Gb的容量。除此之外,QLC颗粒的NAND闪存也处于研发当中,不过在短时间不会出现在市场上。

DRAM内存进展

美光在2016年完成了将DRAM制程转进到20nm工艺,而在2017年的第四季度之前还将实现1Xnm工艺的DRAM技术的量产;而他们也一样计划在2017年下半年转入到1Ynm制程工艺;而10nm级的1Znm工艺也将会进入到研发阶段。

美光DRAM技术发展

目前主流的电脑显卡上使用的是GDDR5或者GDDR5X,suiran HBM显存在未来是发展的必定趋势,但是过于昂贵的价格注定在短时间内不会得到大规模应用。在美光方面预计在2017年年度或者2018年年初推出新一代的GDDR6显存。

SK Hynix2017年计划

SK Hynix已在生产48层的3D NAND Flash(3D-V3),而她们计划在2017年投产72层的NAND Flash(3D-V4)。与此同时,SK Hynix确认在2017年第二季度开始量产,他们同事计划在2017年年底将单颗容量提升到512Gb。

SK Hynix NAND Flash芯片

DRAM方面,SK Hynix表示他们会在2017年量产10nm class制程的DRAM,实际上该制程并不是我们一般说的10nm工艺,外界猜测可能是18nm的制程工艺。SK Hynix在2Xnm的DRAM制程上落后三星一年半,他们也希望在10nm级别上迎头赶上并拉开与美光的差距。

近深陷财务麻烦的东芝集团已确定定剥离半导体芯片业务,并出售3成的股票变现缓解危机,对其虎视眈眈的有佳能、西部数据等科技公司,还有来自英国、美国等投资企业。近更是有人爆料SK Hynix已对东芝进行报价,争取吃下这块肥肉。

西部数据密度的3D NAND芯片

随着机械硬盘的日渐式微,西部数据急于需求新的出路,他们在去年斥资190亿美元收购闪迪,开始进军固态硬盘、移动存储器市场。在今年年中完成收购之后,西数迫不及待的开始了NAND Flash的研发。

西部数据BiCS 3D NAND Flash

在2月7日,西部数据宣布他们已开始流片全球密集的3D NAND闪存芯片,对叠层数到达了64层,每单元存数比从2位增加到3位(从MLC转向TLC)。与西部数据共同开发的东芝将其垂直3D堆叠技术成为Bit Cost Scaling,预计在2017年下半年开始量产。

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